Toshiba hleypir af stokkunum tveimur 80V N-rásar rafstöðvum

Tækin eru sögð henta fyrir raforkuforrit þar sem lítið taprekstur er mikilvægur, þar á meðal umbreytingu AC-DC og DC í DC í gagnaverum og stöðvum í samskiptum sem og vélknúnu drifbúnaði. 

Bæði TPH2R408QM og TPN19008QM sýna fækkun um 40% í ónæmi fyrir frárennslisgjafa (RDS (ON)) samanborið við samsvarandi 80V vörur í fyrri ferlum eins og U-MOSVIII-H, fullyrðir Toshiba.

TPN19008QM er með RDS (ON) gildi 19mΩ (max.) Meðan TPH2R408QM gildi er 2,43mΩ.

Fyrirtækið segist hafa hagrætt tækjagerðinni, bætt viðskiptin milli RDS (ON) og hliðarhleðslueiginleika um allt að 15% og skiptin milli RDS (ON) og framleiðsla gjald um 31%.

Mosfets eru hýst í yfirborðsfestingarpökkum og eru metin fyrir frárennslisspennu 80V.

Þeir starfa við hitastig rásar upp í 175 ° C.

TPN19008QM er metinn fyrir frárennslisstraum 34A og er hýst í 3,3 × 3,3 mm TSON pakka en TPH2R408QM er metinn fyrir 120A og hýst í 5x6mm SOP pakka.