SiC afriðlar

Fljótandi kísilkarbíð uppbyggingu Schottky díóða frá STMicroelectronics

STMicroelectronics 'kísilkarbíðskipulögð Schottky díóða' rofi gerir hönnuðum kleift að ná meiri skilvirkni og aflþéttleika. Sem nær yfir núverandi einkunnir frá 2 A til 40 A, 650 V og 1200 V SiC díóða fjölskyldur ST innihalda iðnaðartengda sem og bifreiðahæfa AEC-Q101 tæki í yfirborðsfestingu DPAK HV (háspennu) og D²PAK, eða í gegnum- holu TO-220AC og TO-247LL (langleiðar) pakkningar.

ST svið 1200 V kísilkarbíð (SiC) JBS (Junction Barrier Schottky) díóða uppfyllir þarfir hönnuða fyrir framúrskarandi skilvirkni, litla þyngd, litla stærð og bætt hitauppstreymi fyrir afköst sem eru notuð.

Bjóða framúrskarandi framspenna (lágt V_F) og nýjustu styrkleiki, 1200 V SiC díóða frá ST veita aukið frelsi til að ná mikilli skilvirkni og áreiðanleika með lægri straummati og þar með lægri kostnaði, en lækka rekstrarhita og lengja endingartíma umsóknarinnar. Þeir tryggja fullkomna passa í öllum skiptibreytum og breytum þar sem þörf er á mikilli þéttleika og skilvirkni, svo sem SMPS, UPS, sólar og mótor drif.

Sem nær núverandi einkunnagjöf frá 2 A til 40 A, í 1200 V SiC díóða fjölskyldu ST eru iðnaðarvæddar sem og bifreiðahæfir AEC-Q101 tæki í yfirborðsfestingu DPAK HV (háspennu) og D²PAK, eða gegnum gat -220AC og TO-247LL (langleiðir) pakkar.

1200 V SiC hjá ST gerir kleift að ná háum stöðlum og litlum myndarstuðli.